MSI G41M-P33 Combo - Manual (Page 132)

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Ce Support
開啟本功能會在 CPu 閒置時，減低電量的耗損。並非所有處理器均支援 en-
hanced Halt state (Ce) 功能。
adjust CPu Base Frequency (mHz)
本項設定 CPu base clock (以 mHz 計)。您可調整本數值來超頻處理器。注意我
們不保證超頻的成功與否。
adjusted CPu Frequency (mHz)
本項顯示調整後 CPu 的頻率。唯讀。
advance dRam Configuration
按下 <enter> 鍵，即可進入子選單。
dRam timing mode
選擇 dRam 的時序，是否由 dRam 模組上的 SPd eePRom 裝置來控制。設
為 [auto by SPd] ，由 BioS 依 SPd 上的組態，來設定 dRam 時序及其它相
關設定。設定為 [manual] 時，則以手動方式更改 dRam 時序及相關選項。
CaS Latency (CL)
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項控制行位
址信號 (CaS) 延遲，也就是於 SdRam 接收讀取指令後，開始進行讀取前的延
遲時間 (以時脈計)。
tRCd
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。在dRam更新
時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RaS) 到行位址 (CaS) 之間的
過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
tRP
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項控制列位
址(RaS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充
電，更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步
動態隨機存取記憶體時。
tRaS
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RaS
由讀取到寫入記憶體所需時間。
tRtP
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。讀取到預充電
間的時間差。
tRFC
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RFC
由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWR
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項指定在有
效寫入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫
入緩衝內的資料，可於預充電前被寫入記憶體。
tRRd
將 dRam timing mode 設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項設定不同
記憶體間的 active-to-active 延遲時間。